參數(shù)資料
型號： CY7C1315BV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結構,18-Mbit QDR-II SRAM)
中文描述： 18兆位QDR - II型SRAM的4字突發(fā)架構（4字突發(fā)結構,18 - Mbit的QDR - II型的SRAM）
文件頁數(shù)： 16/28頁
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代理商： CY7C1315BV18
CY7C1311BV18
CY7C1911BV18
CY7C1313BV18
CY7C1315BV18
Document Number: 38-05620 Rev. *C
Page 16 of 28
t
CH
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
Capture Hold after Clock Rise
5
ns
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
10
ns
ns
0
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[13, 14]
(continued)
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit
TAP Timing and Test Conditions
[14]
(a)
TDO
C
L
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1318AV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb DDR-II SRAM（2-Word Burst結構）)
CY7C1316AV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1316AV18-167BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1318AV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1318AV18-250BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1315BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1315BV18-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1315BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1315BV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V IND QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1315BV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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