參數(shù)資料
型號： CY7C1315BV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit QDR-II SRAM)
中文描述： 18兆位QDR - II型SRAM的4字突發(fā)架構(gòu)（4字突發(fā)結(jié)構(gòu),18 - Mbit的QDR - II型的SRAM）
文件頁數(shù)： 20/28頁
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代理商： CY7C1315BV18
CY7C1311BV18
CY7C1911BV18
CY7C1313BV18
CY7C1315BV18
Document Number: 38-05620 Rev. *C
Page 20 of 28
Maximum Ratings
(Above which the useful life may be impaired.)
Storage Temperature .................................–65°C to +150°C
Ambient Temperature with Power Applied..–55°C to +125°C
Supply Voltage on V
DD
Relative to GND........–0.5V to +2.9V
Supply Voltage on V
DDQ
Relative to GND ......–0.5V to +V
DD
DC Applied to Outputs in High-Z .........–0.5V to V
DDQ
+ 0.3V
DC Input Voltage
[15]
...............................–0.5V to V
DD
+ 0.3V
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[16]
Current into Outputs (LOW).........................................20 mA
Static Discharge Voltage (MIL-STD-883, M. 3015).. > 2001V
Latch-up Current.................................................... > 200 mA
Operating Range
Range
Com’l
Ind’l
Ambient
Temperature (T
A
)
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
V
DD
[21]
1.8 ± 0.1V
V
DDQ
[21]
1.4V to V
DD
DC Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
OH(LOW)
V
OL(LOW)
V
IH
V
IL
I
X
I
OZ
V
REF
I
DD
Description
Test Conditions
Min.
1.7
1.4
Typ.
1.8
1.5
Max.
1.9
V
DD
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Power Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
[15]
Input LOW Voltage
[15]
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Reference Voltage
[22]
V
DD
Operating Supply
Note 19
Note 20
I
OH
=
0.1 mA, Nominal Impedance
I
OL
= 0.1 mA, Nominal Impedance
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
– 0.2
V
SS
V
REF
+ 0.1
–0.3
5
5
0.68
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
0.2
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
– 0.1
5
5
0.95
400
450
500
530
550
200
220
240
250
260
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ,
Output Disabled
Typical Value = 0.75V
V
= Max., I
OUT
= 0 mA,
f = f
MAX
= 1/t
CYC
0.75
167 MHz
200 MHz
250 MHz
278 MHz
300 MHz
167 MHz
200 MHz
250 MHz
278 MHz
300 MHz
I
SB1
Automatic Power-down
Current
Max. V
, Both Ports
Deselected, V
IN
≥
V
IH
or
V
≤
V
IL
f = f
= 1/t
CYC
,
Inputs Static
AC Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
IH
V
IL
Description
Test Conditions
Min.
Typ.
–
–
Max.
–
Unit
V
V
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
V
REF
+ 0.2
–
V
REF
– 0.2
Capacitance
[23]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
O
Notes:
19.Output are impedance controlled. I
OH
=
(V
DDQ
/2)/(RQ/5) for values of 175
<= RQ <= 350
s.
20.Output are impedance controlled. I
= (V
/2)/(RQ/5) for values of 175
<= RQ <= 350
s.
21.Power-up: Assumes a linear ramp from 0V to V
(min.) within 200 ms. During this time V
< V
and V
< V
DD
.
22.V
(Min.) = 0.68V or 0.46V
, whichever is larger, V
(Max.) = 0.95V or 0.54V
, whichever is smaller.
23.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Description
Test Conditions
Max.
5
6
7
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Output Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 1.8V
V
DDQ
= 1.5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1318AV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb DDR-II SRAM（2-Word Burst結(jié)構(gòu)）)
CY7C1316AV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1316AV18-167BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1318AV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1318AV18-250BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1315BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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CY7C1315BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1315BV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V IND QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1315BV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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