參數(shù)資料
型號: CY7C1176V18-300BZXI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
中文描述: 2M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FPBGA-165
文件頁數(shù): 5/29頁
文件大?。?/td> 956K
代理商: CY7C1176V18-300BZXI
CY7C1161V18
CY7C1176V18
CY7C1163V18
CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *C
Page 5 of 29
Pin Configurations
(continued)
CY7C1163V18 (1M x 18)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
2
3
4
5
6
K
K
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC/144M NC/36M
Q9
NC
D11
BWS
1
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC/288M
BWS
0
A
V
SS
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
NC
NC
TDO
NC
Q12
D13
V
REF
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
NC
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
NC
QVLD
A
8
9
A
10
11
CQ
Q8
D8
D7
Q0
NC/72M
NC
Q7
NC
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Q6
Q5
D5
ZQ
NC
D0
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
Q3
Q2
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D4
D2
D1
TDI
TMS
D6
A
NC
CY7C1165V18 (512K x 36)
2
3
4
5
6
K
K
NC
V
SS
V
SS
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
Q27
D27
D28
D34
Q35
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
NC/288M NC/72M
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
Q18
Q28
D20
D18
D19
Q19
Q30
D30
TDO
D29
Q21
D22
V
REF
D32
Q24
Q34
D26
Q31
TCK
D35
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
Q20
D21
Q22
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
NC
Q29
QVLD
A
8
9
10
11
CQ
Q8
D8
D7
Q0
NC/36M
NC/144M
D17
D16
Q16
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
Q17
Q7
D15
Q6
Q5
D5
ZQ
D9
D0
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
Q3
Q2
Q15
D14
Q13
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
D4
D2
D1
TDI
TMS
D6
A
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1176V18-333BZC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1176V18-333BZI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1176V18-333BZXC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1176V18-333BZXI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1166V18 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1214F-100AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1214F-100ACT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1215F-166AC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:1MB (32K X 32) 3.3V PIPELINE SCD - Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1215H-166AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 1MBIT 32KX32 3.5NS 100TQFP - Bulk
CY7C1217H-133AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 1.125MBIT 32KX36 7.5NS 100TQFP - Bulk