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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1176V18-300BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 956K |
| 代理商： | CY7C1176V18-300BZC |
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CY7C1161V18
CY7C1176V18
CY7C1163V18
CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *C
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Boundary Scan Order
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Internal
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Bump ID
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Bump ID
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