參數(shù)資料
型號： CY7C1148V18-375BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 17/27頁
文件大?。?/td> 969K
代理商： CY7C1148V18-375BZXC
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *C
Page 17 of 27
Identification Register Definitions
Instruction Field
Value
Description
CY7C1146V18
000
CY7C1157V18
000
CY7C1148V18
000
CY7C1150V18
000
Revision Number
(31:29)
Cypress Device ID
(28:12)
Cypress JEDEC ID
(11:1)
Version number.
11010111100000101
11010111100001101
11010111100010101
11010111100100101 Defines the type of
SRAM.
Allows unique
identification of
SRAM vendor.
Indicates the
presence of an ID
register.
00000110100
00000110100
00000110100
00000110100
ID Register
Presence (0)
1
1
1
1
Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size
3
1
32
107
Instruction
Bypass
ID
Boundary Scan
Instruction Codes
Instruction
Code
000
001
Description
EXTEST
IDCODE
Captures the Input Output ring contents.
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register between TDI
and TDO. This operation does not affect SRAM operation.
Captures the Input Output contents. Places the boundary scan register between TDI
and TDO. Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Captures the Input Output ring contents. Places the boundary scan register between
TDI and TDO. Does not affect the SRAM operation.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not affect
SRAM operation.
SAMPLE Z
010
RESERVED
SAMPLE/PRELOAD
011
100
RESERVED
RESERVED
BYPASS
101
110
111
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1148V18-375BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1156V18-300BZXI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C11501KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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CY7C1150KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1150KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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