參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1148V18-375BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 15/27頁(yè)
文件大?。?/td> 969K
代理商： CY7C1148V18-375BZXC
CY7C1146V18
CY7C1157V18
CY7C1148V18
CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *C
Page 15 of 27
TAP Controller Block Diagram
Figure 3. Tap Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
The Tap Electrical Characteristics table over the operating range follows.
[11, 12, 13]
Parameter
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
Description
Test Conditions
I
OH
=
2.0 mA
I
OH
=
100
μ
A
I
OL
= 2.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
Min
1.4
1.6
Max
Unit
V
V
V
V
V
V
μ
A
Output HIGH Voltage
Output HIGH Voltage
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
Input HIGH Voltage
Input LOW Voltage
Input and Output Load Current
0.4
0.2
0.65 V
DD
V
DD
+ 0.3
–0.3
5
0.35 V
DD
5
GND
≤
V
I
≤
V
DD
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
106
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Notes
11. These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI, and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics Table.
12.Overshoot: V
IH
(AC) < V
DDQ
+ 0.35V (Pulse width less than t
CYC
/2), Undershoot: V
IL
(AC) >
0.3V (Pulse width less than t
CYC
/2).
13.All voltage referenced to ground.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1148V18-375BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1150V18-333BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1156V18-300BZXI 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C11501KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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CY7C1150KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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