參數(shù)資料
型號： CY62167E
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： Replacement for National Semiconductor part number 9328FMQB. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
中文描述： 16兆位（1米× 16 / 2米× 8）靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 4/12頁
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代理商： CY62167E
CY62167E MoBL
Document #: 001-15607 Rev. *A
Page 4 of 12
AC Test Loads and Waveforms
V
CC
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
RISE TIME= 1 V/ns
FALL TIME= 1 V/ns
OUTPUT
V
EQUIVALENT TO: THéVENIN EQUIVALENT
ALL INPUT PULSES
R
TH
R1
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
Values
1800
990
639
1.77
Unit
V
Data Retention Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
DR
I
CCDR[9]
Description
Conditions
Min
2.0
Typ
[4]
Max
Unit
V
μ
A
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= V
DR
CE
1
> V
CC
– 0.2V, CE
2
< 0.2V,
V
IN
> V
CC
– 0.2V or V
IN
< 0.2V
12
t
CDR[10]
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery
Time
0
ns
t
R[11]
t
RC
ns
Data Retention Waveform
[12]
V
CC
(min)
t
R
V
CC
(min)
t
CDR
V
DR
> 2.0 V
DATA RETENTION MODE
CE
1
or
BHE. BLE
V
CC
CE
2
or
Notes
11. Full device operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC
(min) > 100
μ
s or stable at V
CC
(min) > 100
μ
s.
12.BHE. BLE is the AND of BHE and BLE. Deselect the chip by either disabling the chip enable signals or by disabling BHE and BLE.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62167ELL-45ZXI Replacement for National Semiconductor part number 9328PCQR. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
CY62168DV3_06 16-Mbit (2M x 8) MoBL㈢ Static RAM
CY62168DV30LL-55BVI 16-Mbit (2M x 8) MoBL㈢ Static RAM
CY62168DV30LL-55BVXI 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
CY62168DV30 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
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參數(shù)描述
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CY62167EV18LL-55BAXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16Mbit 靜態(tài)隨機存取存儲器 55ns 1.8V CMOS RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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