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參數(shù)資料
| 型號： | CY62157EV18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
| 中文描述： | 8兆位（為512k × 16）靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 414K |
| 代理商： | CY62157EV18 |
CY62157EV18 MoBL
Document #: 38-05490 Rev. *D
Page 4 of 12
Thermal Resistance
[8]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
BGA
72
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Still air, soldered on a 3 × 4.5 inch,
two-layer printed circuit board
Θ
JC
8.86
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
Value
13500
10800
6000
0.80
Unit
V
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
[2]
Max
Unit
V
DR
I
CCDR
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
1.0
V
V
CC
= V
DR
, CE
1
> V
CC
– 0.2V,
CE
2
< 0.2V,V
IN
> V
CC
– 0.2V or V
IN
< 0.2V
1
3
μ
A
t
CDR [8]
t
R [9]
Chip Deselect to Data Retention Time
0
ns
Operation Recovery Time
t
RC
ns
Data Retention Waveform
[10]
3V
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
Rise Time = 1 V/ns
Fall Time = 1 V/ns
OUTPUT
V
Equivalent to:
THEVENIN EQUIVALENT
R
TH
ALL INPUT PULSES
R1
V
CC(min)
t
CDR
V
DR
> 1.0V
DATA RETENTION MODE
t
R
V
CC(min)
CE
1
or
BHE.BLE
V
CC
CE
2
or
Notes
9. Full device operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC(min)
> 100
μ
s or stable at V
CC(min)
> 100
μ
s.
10.BHE.BLE is the AND of both BHE and BLE. Deselect the chip by either disabling chip enable signals or by disabling both BHE and BLE.
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PDF描述 |
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