參數(shù)資料
型號(hào)： CY62157EV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
中文描述： 8兆位（為512k × 16）靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 414K
代理商： CY62157EV18
CY62157EV18 MoBL
Document #: 38-05490 Rev. *D
Page 3 of 12
Maximum Ratings
Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the
device. These user guidelines are not tested.
Storage Temperature ................................–65°C to + 150°C
Ambient Temperature with
Power Applied ...........................................–55°C to + 125°C
Supply Voltage to Ground
Potential...............................–0.2V to 2.45V (V
CCmax
+ 0.2V)
DC Voltage Applied to Outputs
in High-Z State
[4, 5]
..............–0.2V to 2.45V (V
CCmax
+ 0.2V)
DC Input Voltage
[4, 5]
.........–0.2V to 2.45V (V
CCmax
+ 0.2V)
Output Current into Outputs (LOW) ............................20 mA
Static Discharge Voltage ......................................... > 2001V
(in accordance with MIL-STD-883, Method 3015)
Latch-up Current ...................................................> 200 mA
Operating Range
Device
Range
Ambient
Temperature
V
CC
[6]
CY62157EV18LL Industrial –40°C to +85°C 1.65V to 2.25V
Electrical Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
Description
Test Conditions
55 ns
Unit
Min
Typ
[2]
Max
V
OH
Output HIGH Voltage
I
OH
= –0.1 mA
V
CC
= 1.65V
1.4
V
V
OL
Output LOW Voltage
I
OL
= 0.1 mA
V
CC
= 1.65V
0.2
V
V
IH
Input HIGH Voltage
V
CC
= 1.65V to 2.25V
1.4
V
CC
+ 0.2V
V
V
IL
Input LOW Voltage
V
CC
= 1.65V to 2.25V
–0.2
0.4
V
I
IX
Input Leakage
Current
GND < V
I
< V
CC
–1
+1
μ
A
I
OZ
Output Leakage
Current
GND < V
O
< V
CC
, Output Disabled
–1
+1
μ
A
I
CC
V
CC
Operating Supply
Current
f = f
max
= 1/t
RC
V
CC
= V
CC(max)
I
OUT
= 0 mA
CMOS levels
18
25
mA
f = 1 MHz
1.8
3
mA
I
SB1
Automatic CEPower Down
Current–CMOS Inputs
CE
1
> V
CC
0.2V or CE
2
< 0.2V
V
IN
> V
CC
– 0.2V, V
IN
< 0.2V)
f = f
max
(Address and Data Only),
f = 0 (OE, WE, BHE and BLE), V
CC
= V
CC(max)
.
2
8
μ
A
I
SB2 [7]
Automatic CE Power Down
Current–CMOS Inputs
CE
1
> V
CC
– 0.2V or CE
2
< 0.2V,
V
IN
> V
CC
– 0.2V or V
IN
< 0.2V,
f = 0, V
CC
= V
CC(max)
.
2
8
μ
A
Capacitance
[8]
Parameter
C
IN
C
OUT
Description
Test Conditions
Max
10
10
Unit
pF
pF
Input Capacitance
Output Capacitance
T
A
= 25°C, f = 1 MHz, V
CC
= V
CC(typ)
Notes
4. V
IL(min)
= –2.0V for pulse durations less than 20 ns.
5. V
IH(max)
= V
CC
+ 0.5V for pulse durations less than 20 ns.
6. Full Device AC operation assumes a 100
μ
s ramp time from 0 to V
CC
(min) and 200
μ
s wait time after V
CC
stabilization.
7. Only chip enable (CE) and byte enables (BHE and BLE) need to be tied to CMOS levels to meet the I
SB2
spec. Other inputs can be left floating.
8. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62157EV18LL-55BVXI 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
CY62157EV30 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
CY62157EV30LL-45BVI 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
CY62157EV30LL-45BVXA 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
CY62157EV30LL-45BVXI 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62157EV18LL-45BVXI 功能描述:IC SRAM 8MBIT 45NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62157EV18LL-45BVXIT 功能描述:IC SRAM 8MBIT 45NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62157EV18LL-55BVXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62157EV18LL-55BVXIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62157EV18LL-55IKA 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*