參數(shù)資料
型號： CY62157DV30
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 8-Mbit (512K x 16) MoBL Static RAM(8-Mb(512K x 16) MoBL靜態(tài)RAM)
中文描述： 8兆位（為512k × 16）的MoBL靜態(tài)RAM（8 MB的（為512k × 16）的MoBL靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 8/12頁
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代理商： CY62157DV30
CY62157DV30 MoBL
Document #: 38-05392 Rev. *H
Page 8 of 12
Write Cycle 3 (WE Controlled, OE LOW)
[24, 25]
Write Cycle 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW)
[24, 25]
Switching Waveforms
(continued)
VALID DATA
tHD
tSD
tLZWE
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZWE
CE
1
ADDRESS
CE
2
WE
DATA I/O
tBW
BHE/BLE
See note 25
DATA I/O
ADDRESS
tHD
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CE
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tSCE
CE
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62157EV18 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
CY62157EV18LL-55BVXI 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
CY62157EV30 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
CY62157EV30LL-45BVI 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
CY62157EV30LL-45BVXA 8-Mbit (512K x 16) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62157DV30L-45BVI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62157DV30L-55BVI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY62157DV30L-55BVXE 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62157DV30L-55BVXET 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62157DV30L-55ZSI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8MB (512KX16) SRAM SLOW 3.0V LOW POWER - Bulk
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