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參數(shù)資料
| 型號： | CY62157DV30 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 8-Mbit (512K x 16) MoBL Static RAM(8-Mb(512K x 16) MoBL靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 8兆位（為512k × 16）的MoBL靜態(tài)RAM（8 MB的（為512k × 16）的MoBL靜態(tài)內存） |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | CY62157DV30 |
CY62157DV30 MoBL
Document #: 38-05392 Rev. *H
Page 4 of 12
Thermal Resistance
[11]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
FBGA
39.3
TSOP II
35.62
TSOP I
36.9
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch,
four-layer printed circuit board
Θ
JC
9.69
9.13
10.05
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
[13]
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
Unit
V
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
V
DR
I
CCDR
Description
Conditions
Min.
1.5
Typ.
[2]
Max.
Unit
V
μ
A
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= 1.5V
CE
1
> V
CC
– 0.2V, CE
2
< 0.2V,
V
IN
> V
CC
– 0.2V or V
IN
< 0.2V
Ind’l (L)
10
4
25
Ind’l/Auto-A (LL)
Auto-E (L)
t
CDR[11]
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
0
ns
t
R[14]
t
RC
ns
Data Retention Waveform
[15]
Notes:
13.Test condition for the 45 ns part is a load capacitance of 30 pF.
14.Full device operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC(min.)
> 100
μ
s or stable at V
CC(min.)
> 100
μ
s.
V
CC
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF / 50 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
Rise Time = 1 V/ns
Fall Time = 1 V/ns
OUTPUT
V
Equivalent to: THEVENIN EQUIVALENT
ALL INPUT PULSES
R
TH
R1
V
CC
, min.
t
R
V
CC
, min.
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
DATA RETENTION MODE
CE
1
or
BHE
.
BLE
or
V
CC
CE
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY62157EV18 | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
| CY62157EV18LL-55BVXI | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
| CY62157EV30 | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
| CY62157EV30LL-45BVI | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
| CY62157EV30LL-45BVXA | 8-Mbit (512K x 16) Static RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY62157DV30L-45BVI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY62157DV30L-55BVI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY62157DV30L-55BVXE | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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| CY62157DV30L-55ZSI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8MB (512KX16) SRAM SLOW 3.0V LOW POWER - Bulk |
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