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參數(shù)資料
| 型號： | CY62137FV30 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM(2Mbit (128K x 16)靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 2兆位（128K的× 16）靜態(tài)隨機(jī)存儲器（2Mbit的（128K的× 16），靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 511K |
| 代理商： | CY62137FV30 |
CY62137FV30 MoBL
Document Number: 001-07141 Rev. *E
Page 7 of 12
Figure 7. Write Cycle 1: WE Controlled
[16, 20, 21]
Figure 8. Write Cycle 2: CE Controlled
[16, 20, 21]
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
t
HZOE
DATA
IN
NOTE 22
t
BW
t
SCE
DATA IO
ADDRESS
CE
WE
OE
BHE/BLE
t
HD
t
SD
t
PWE
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZOE
DATA
IN
t
BW
t
SA
CE
ADDRESS
WE
DATA IO
OE
BHE/BLE
NOTE 22
Notes
20.Data IO is high impedance if OE = V
.
21.If CE goes HIGH simultaneously with WE = V
, the output remains in a high impedance state.
22.During this period, the IOs are in output state. Do not apply input signals.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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