參數(shù)資料
型號(hào)： CY62136FV30LL-55ZSXE
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
中文描述： 128K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44
封裝： LEAD FREE, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 428K
代理商： CY62136FV30LL-55ZSXE
CY62136FV30 MoBL
Document Number: 001-08402 Rev. *D
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Figure 9. Write Cycle 3: WE controlled, OE LOW
[20]
Figure 10. Write Cycle 4: BHE/BLE Controlled, OE LOW
[20]
Switching Waveforms
(continued)
DATA
IN
t
HD
t
SD
t
LZWE
t
PWE
t
SA
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AW
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WC
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HZWE
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BW
NOTE 21
CE
ADDRESS
WE
DATA IO
BHE/BLE
t
HD
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NOTE 21
DATA IO
ADDRESS
CE
WE
BHE/BLE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62137FV18 2-Mbit (128K x 16) Static RAM(2Mbit (128K x 16)靜態(tài)RAM)
CY62137FV30 2-Mbit (128K x 16) Static RAM(2Mbit (128K x 16)靜態(tài)RAM)
CY62137V MoBL 128K x 16 Static RAM(128K x 16 靜態(tài)RAM)
CY62137V18 128K x 16 Static RAM(128K x 16靜態(tài)RAM)
CY62137V 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62136FV30LL-55ZSXET 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLo 3.0V SUPER LoPwr 1MEGX16 PbFree 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62136V 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62136V18LL-70BAI 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SRAM
CY62136VLL 制造商:CYPRESS 制造商全稱(chēng):Cypress Semiconductor 功能描述:128K x 16 Static RAM
CY62136VLL-55BAI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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