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參數(shù)資料
| 型號： | CY14B104N-BA15XI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| 中文描述： | 256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 15 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 7/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 371K |
| 代理商： | CY14B104N-BA15XI |
CY14B104L/CY14B104N
PRELIMINARY
Document #: 001-07102 Rev. *E
Page 7 of 21
Data Protection
The CY14B104L/CY14B104N protects data from corruption
during low-voltage conditions by inhibiting all externally
initiated STORE and write operations. The low voltage
condition is detected when V
CC
< V
SWITCH
. If the
CY14B104L/CY14B104N is in a write mode (both CE and WE
low) at power up, after a RECALL, or after a STORE, the write
will be
inhibited until a negative transition on CE or WE is
detected. This protects against inadvertent writes during
power up or brown out conditions.
Noise Considerations
Refer CY Application Note AN1064.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY14B104N-BA15XIT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N-BA25XCT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N-BA25XIT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N-BV45XCT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N-BV45XI | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY14B104N-BA15XIT | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N-BA20XC | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| CY14B104N-BA20XCT | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| CY14B104N-BA20XI | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| CY14B104N-BA20XIT | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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