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參數(shù)資料
| 型號： | CY14B104N-BA15XI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| 中文描述： | 256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 15 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 10/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 371K |
| 代理商： | CY14B104N-BA15XI |
CY14B104L/CY14B104N
PRELIMINARY
Document #: 001-07102 Rev. *E
Page 10 of 21
AC Test Conditions
Input Pulse Levels ................................................... 0V to 3V
Input Rise and Fall Times (10% - 90%) ....................... <5 ns
Input and Output Timing Reference Levels ....................1.5V
Notes
8. WE must be HIGH during SRAM read cycles.
9. Device is continuously selected with CE and OE both LOW.
10.Measured ±200 mV from steady state output voltage.
11. If WE is LOW when CE goes LOW, the outputs remain in the high impedance state.
AC Switching Characteristics
Parameters
Description
15ns
25ns
45ns
Unit
Cypress
Parameters
SRAM Read Cycle
t
ACE
t
RC[8]
t
AA[9]
t
DOE
t
OHA
t
LZCE[10]
t
HZCE[10]
t
LZOE[10]
t
HZOE[10]
t
PU[7]
t
PD[7]
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
SRAM Write Cycle
t
WC
t
PWE
t
SCE
t
SD
t
HD
t
AW
t
SA
t
HA
t
HZWE[10,11]
t
LZWE[10]
t
BW
Alt.
Parameters
Min
Max
Min
Max
Min.
Max.
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
-
-
-
Chip Enable Access Time
Read Cycle Time
Address Access Time
Output Enable to Data Valid
Output Hold After Address Change
Chip Enable to Output Active
Chip Disable to Output Inactive
Output Enable to Output Active
Output Disable to Output Inactive
Chip Enable to Power Active
Chip Disable to Power Standby
Byte Enale to Data Valid
Byte Enable to Output Active
Byte Disable to Output Inactive
15
25
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
25
45
15
10
25
12
45
20
3
3
3
3
3
3
7
10
15
0
0
0
7
10
15
0
0
0
15
10
25
12
45
22
0
0
0
7
10
22
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
-
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Chip Enable To End of Write
Data Setup to End of Write
Data Hold After End of Write
Address Setup to End of Write
Address Setup to Start of Write
Address Hold After End of Write
Write Enable to Output Disable
Output Active after End of Write
Byte Enable to End of Write
15
10
15
5
0
15
0
0
25
20
20
10
0
20
0
0
45
30
30
15
0
30
0
0
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ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
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3
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[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY14B104N-BA15XIT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N-BA25XCT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N-BA25XIT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N-BV45XCT | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N-BV45XI | 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY14B104N-BA15XIT | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| CY14B104N-BA20XC | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| CY14B104N-BA20XCT | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| CY14B104N-BA20XI | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| CY14B104N-BA20XIT | 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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