參數(shù)資料
型號: CY14B104N-BA15XI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
中文描述: 256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 15 ns, PBGA48
封裝: 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-48
文件頁數(shù): 14/21頁
文件大?。?/td> 371K
代理商: CY14B104N-BA15XI
CY14B104L/CY14B104N
PRELIMINARY
Document #: 001-07102 Rev. *E
Page 14 of 21
Figure 7. CE-controlled Software STORE/RECALL Cycle
[15]
Figure 8. OE-controlled Software STORE/RECALL Cycle
[15]
a a
a a
Switching Waveforms
(continued)
a a
RC
t
RC
RC
t
RC
t
AS
t
SA
CW
t
SCE
t
GLAX
/ t
t
STORE
/ t
RECALL
DATA VALID
DATA VALID
ADDRESS # 1
ADDRESS # 6
HIGH IMPEDANCE
ADDRESS
CE
CE
OE
OE
DQ (DATA)
a a
a a
a a
t
GHAX
a a a a
a a
a a
t
RC
t
RC
ADDRESS # 1
ADDRESS # 6
ADDRESS
t
AS
t
CW
t
GHAX
t
STORE
/ t
RECALL
DATA VALID
DATA VALID
HIGH IMPEDANCE
CE
OE
DQ (DATA)
a a a
a a
a a a a a
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY14B104N-BA15XIT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104N-BA25XCT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104N-BA25XIT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104N-BV45XCT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104N-BV45XI 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY14B104N-BA15XIT 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104N-BA20XC 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY14B104N-BA20XCT 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY14B104N-BA20XI 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY14B104N-BA20XIT 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube