參數(shù)資料
型號: CY14B104N-BA15XI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
中文描述: 256K X 16 NON-VOLATILE SRAM, 15 ns, PBGA48
封裝: 6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-48
文件頁數(shù): 15/21頁
文件大?。?/td> 371K
代理商: CY14B104N-BA15XI
CY14B104L/CY14B104N
PRELIMINARY
Document #: 001-07102 Rev. *E
Page 15 of 21
Figure 9. Hardware STORE Cycle
[18]
Figure 10. Soft Sequence Processing
[16,17]
Switching Waveforms
(continued)
t
SS
t
SS
[+] Feedback
相關PDF資料
PDF描述
CY14B104N-BA15XIT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104N-BA25XCT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104N-BA25XIT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104N-BV45XCT 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104N-BV45XI 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY14B104N-BA15XIT 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
CY14B104N-BA20XC 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY14B104N-BA20XCT 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY14B104N-BA20XI 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
CY14B104N-BA20XIT 功能描述:NVRAM 4 Mbit (256K x 16) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube