- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378988 > CXK77B1841GB (Sony Corporation) 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (256K x 18Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (256K x 18位)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CXK77B1841GB |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (256K x 18Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (256K x 18位)) |
| 中文描述： | 4Mb的后寫入LVTTL高速同步SRAM（256 × 18位）（4分位，寫延遲，LVTTL高速同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（256 × 18位）） |
| 文件頁數(shù)： | 11/22頁 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | CXK77B1841GB |
256Kx18, Sync LW, LVTTL, rev 4.6
11 / 22
August 12, 1998
SONY
CXK77B1841GB
AC Test Conditions (V
DDQ
= 3.3V)
(V
DD
= V
DDQ
= 3.3V
±
5%, T
A
= 0 to 70
°
C
)
Item
Conditions
Notes
Address / Control / Data Input High Level
V
IHCA
, V
IHD
= 2.4V
V
ILCA
, V
ILD
= 0.4V
1.0V/ns
@ Set up time
≥1
ns
Address / Control / Data Input Low Level
@ Set up time
≥1
ns
Input Rise & Fall Time
Other than Clock
Input Reference Level
1.4V
Other than Clock
Clock
LVTTL Input High Voltage
2.4V
V
DIF
≥
1.0V
V
DIF
≥
1.0V
LVTTL Input Low Voltage
0.4V
LVTTL Input Common Mode Voltage
1.4V
PECL Input High Voltage
V
IH-PECL
= 2.3V
PECL Input Low Voltage
V
IL-PECL
= 1.6V
1.0V/ns
Clock Input Rise & Fall Time
Clock Input Reference Level
K/K cross
Output Reference Level
1.4V
Output Load Conditions
Fig.2
DQ
1.4 V
Fig. 2: AC Test Output Load (V
DDQ
= 3.3V)
50
50
5 pF
16.7
1.4 V
50
50
5 pF
16.7
16.7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXK77B3611AGB- | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3611AGB-5 | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3611AGB-6 | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3611AGB | High Speed 1MBit Bi-CMOS Synchronous Static RAM(高速1M位、Bi-CMOS同步靜態(tài)RAM) |
| CXK77B3640AGB | 4Mb Late Write HSTL High Speed Synchronous SRAM(128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、高速邏輯收發(fā)（HSTL）、高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK77B1841GB-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x18 Fast Synchronous SRAM |
| CXK77B1841GB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x18 Fast Synchronous SRAM |
| CXK77B3610AGB-5R | 制造商:Sony Batteries 功能描述:77B3610AGB-5R |
| CXK77B3610GB- | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3610GB-6 | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。