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CSD18542KCS

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CSD18542KCS
    CSD18542KCS

    CSD18542KCS

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠(chǎng)封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話(huà)010-62...

  • CSD18542KCS
    CSD18542KCS

    CSD18542KCS

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話(huà)：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 40750

  • TI

  • TO-2203

  • 15+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CSD18542KCS
    CSD18542KCS

    CSD18542KCS

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話(huà)：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 11155

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • CSD18542KCS
    CSD18542KCS

    CSD18542KCS

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話(huà)：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100000

  • TEXAS INSTRUMENTS

  • N/A

  • 15+

  • -

  • 原裝正品 價(jià)格優(yōu)勢(shì)！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共13條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類(lèi)型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 邏輯電平門(mén)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 200A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 44 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 57nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 5070pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
  • 200W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220-3
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 50
CSD18542KCS 技術(shù)參數(shù)
  • CSD18541F5T 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:777pF @ 30V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無(wú)引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18541F5 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:777pF @ 30V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無(wú)引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18540Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4230pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18540Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4230pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18537NQ5AT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 12A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 30V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19503KCS CSD19505KCS CSD19505KTT CSD19505KTTT CSD19506KCS CSD19506KTT CSD19506KTTT CSD19531KCS CSD19531Q5A CSD19531Q5AT CSD19532KTT CSD19532KTTT CSD19532Q5B CSD19532Q5BT CSD19533KCS CSD19533Q5A CSD19533Q5AT CSD19534KCS
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