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現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生 13360533550
電話(huà)：0755-83289799
地址：深圳市福田區(qū)深南中路漢國(guó)城市商業(yè)中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
29151
22+
-
原裝原廠(chǎng)現(xiàn)貨

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優(yōu)勢(shì)
深圳市崧曄達(dá)科技有限公司
深圳市崧曄達(dá)科技有限公司
聯(lián)系人：苑小姐
電話(huà)：13926591096
地址：深圳市福田區(qū)新亞洲二期N1A160
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
950
TI
N/A
2306+
-
只做原裝，實(shí)單來(lái)談

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深圳市百潤(rùn)電子有限公司
深圳市百潤(rùn)電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話(huà)：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號(hào)下沙村京基濱河時(shí)代廣場(chǎng)D1棟26A
100
TI
22+
TO-263
-

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北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話(huà)：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
320336
TI
con
24+
-

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天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話(huà)：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
320336
TI
con
24+
-

CSD19532KTT
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話(huà)：13969210552
地址：中國(guó)上海
320336
TI
con
24+
-
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

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深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話(huà)：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室
320336
TI
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

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深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話(huà)：13969210552
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
320336
TI
con
24+
-
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

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深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話(huà)：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
8400
TI
TO-263
2022+
-
原裝正品，公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十，電話(huà)：0...

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無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話(huà)：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D2PAK/TO-263
25+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

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北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠(chǎng)封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話(huà)010-62...

CSD19532KTT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話(huà)：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
Ti
DDPAK/TO-263 (KTT)
19
-
瑞智芯只有原裝

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類(lèi)型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET (Metal Oxide)
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
200A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
5.6 毫歐 @ 90A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
3.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
57nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
5060pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝
DDPAK/TO-263-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CSD19532KTT 技術(shù)參數(shù)

CSD19531Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3870pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19531Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3870pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19531KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3870pF @ 50V 功率 - 最大值:214W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19506KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:156nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12200pF @ 40V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19505KTT 功能描述:MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7920pF @ 40V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線(xiàn)+接片），TO-263AA 供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19535KCS CSD19535KTT CSD19535KTTT CSD19536KCS CSD19536KTT CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19537Q3T CSD19538Q2 CSD19538Q2T CSD19538Q3A CSD19538Q3AT CSD2 CSD20030D CSD20060D CSD201610 CSD20166 CSD20168

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深圳市芯易芯科技有限公..
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安富微（深圳）商貿(mào)有限..
配單專(zhuān)線(xiàn)：0755-88999344
深圳市佳芯恒業(yè)科技有限..
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