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CSD20168SS

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  • 制造商
  • HOFFMAN ENCLOSURES
  • 功能描述
  • Enclosure;Box-Lid;Wallmount;Stainless Steel;20x16x8 In;NEMA 13;Hinged;Concept
  • 制造商
  • Pentair Technical Products / Hoffman
  • 功能描述
  • ENCLOSURE, WALL MOUNT, STAINLESS STEEL; Enclosure Type
CSD20168SS 技術(shù)參數(shù)
  • CSD20168 功能描述:BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 容器類(lèi)型:盒 大小/尺寸:20.000" 長(zhǎng) x 15.984" 寬（508.00mm x 406.00mm） 高度:7.992"（203.00mm） 面積（L x W）:320 in2（2065 cm2） 設(shè)計(jì):鉸鏈?zhǔn)介T(mén)，蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:18 號(hào) 特性:密封墊，壁裝 等級(jí):IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級(jí):- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送 重量:24 磅（10.9kg） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD20166 功能描述:BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 容器類(lèi)型:盒 大小/尺寸:20.000" 長(zhǎng) x 15.984" 寬（508.00mm x 406.00mm） 高度:5.984"（152.00mm） 面積（L x W）:320 in2（2065 cm2） 設(shè)計(jì):鉸鏈?zhǔn)介T(mén)，蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:18 號(hào) 特性:密封墊，壁裝 等級(jí):IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級(jí):- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送 重量:22 磅（10kg） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD201610 功能描述:BOX STEEL GRAY 20"L X 15.98"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 容器類(lèi)型:盒 大小/尺寸:20.000" 長(zhǎng) x 15.984" 寬（508.00mm x 406.00mm） 高度:10.000"（254.00mm） 面積（L x W）:320 in2（2065 cm2） 設(shè)計(jì):鉸鏈?zhǔn)介T(mén)，蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:18 號(hào) 特性:密封墊，壁裝 等級(jí):IP66，NEMA 4，12，13，UL-508A 材料可燃性等級(jí):- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送 重量:25 磅（11.3kg） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19538Q3AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（3x3.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19538Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（3x3.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T CSD23203W CSD23203WT CSD23280F3 CSD23280F3T CSD23285F5 CSD23285F5T CSD23381F4 CSD23381F4T CSD23382F4 CSD23382F4T CSD2410
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