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CSD19538Q3AT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD19538Q3AT
    CSD19538Q3AT

    CSD19538Q3AT

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 6000

  • TI/德州儀器

  • VSONP-8

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • CSD19538Q3AT
    CSD19538Q3AT

    CSD19538Q3AT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD19538Q3AT
    CSD19538Q3AT

    CSD19538Q3AT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29302

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • CSD19538Q3AT
    CSD19538Q3AT

    CSD19538Q3AT

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 36890

  • TI

  • VSONP-8

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • CSD19538Q3AT
    CSD19538Q3AT

    CSD19538Q3AT

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：8296641615986789713

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 13000

  • TI/德州儀器

  • VSONP-8

  • 20+

  • -

  • 只做原裝，假一賠十

  • CSD19538Q3AT
    CSD19538Q3AT

    CSD19538Q3AT

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TI

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
CSD19538Q3AT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 新產(chǎn)品
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 15A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 59 毫歐 @ 5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 3.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 4.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 454pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 2.8W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-VSONP（3x3.15）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD19538Q3AT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD19538Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（3x3.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19538Q2T 功能描述:MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.1A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19538Q2 功能描述:MOSFET NCH 100V 14.4A SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.4A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）, 20.2W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-WSON（2x2） 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19537Q3T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19537Q3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T CSD23203W CSD23203WT CSD23280F3 CSD23280F3T
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