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CSD19506KTTT

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    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人：陳先生 13360533550

    電話：0755-83289799

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路漢國(guó)城市商業(yè)中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 29172

  • 22+

  • -

  • 原裝原廠現(xiàn)貨

  • CSD19506KTTT
    CSD19506KTTT

    CSD19506KTTT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 28077

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
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CSD19506KTTT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD19506KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:156nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12200pF @ 40V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19505KTT 功能描述:MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7920pF @ 40V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19505KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 150A TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 100A，6V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7820pF @ 40V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19503KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.2 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2730pF @ 40V 功率 - 最大值:188W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19502Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4870pF @ 40V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19533Q5AT CSD19534KCS CSD19534Q5A CSD19534Q5AT CSD19535KCS CSD19535KTT CSD19535KTTT CSD19536KCS CSD19536KTT CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19537Q3T CSD19538Q2 CSD19538Q2T CSD19538Q3A CSD19538Q3AT CSD2 CSD20030D
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