參數(shù)資料
型號: BUX84F
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon diffused power transistors
中文描述: 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝: PLASTIC, TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商: BUX84F
1997 Aug 14
6
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUX84F; BUX85F
Fig.7
Switching time waveforms with
resistive load.
handbook, halfpage
MBB731
t
90%
10%
90%
10%
IC
IB
IB on
IB off
IC on
tr
30 ns
ts
tf
ton
t
Fig.8 Test circuit resistive load.
t
p
= 20
μ
s; T = 2 ms; V
IM
= 15 V.
handbook, full pagewidth
MGE253
Vi
VCC
250V
100
100
30
50
200
250
680
μ
F
680
μ
F
100
μ
F
D.U.T.
BD139
BD140
+
25 V
T
VIM
tp
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX85 Silicon diffused power transistors
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參數(shù)描述
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BUX85 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 450V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX85,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUX85/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX85 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB