參數(shù)資料
型號(hào)： BUX84F
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： PLASTIC, TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： BUX84F
1997 Aug 14
4
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUX84F; BUX85F
Switching times resistive load
(see Fig.7)
t
on
turn-on time
I
Con
= 1 A; I
Bon
= 200 mA;
I
Boff
=
400 mA; V
CC
= 250 V
I
Con
= 1 A; I
Bon
= 200 mA;
I
Boff
=
400 mA; V
CC
= 250 V
I
Con
= 1 A; I
Bon
= 200 mA;
I
Boff
=
400 mA; V
CC
= 250 V
I
Con
= 1 A; I
Bon
= 200 mA;
I
Boff
=
400 mA; V
CC
= 250 V;
T
mb
= 95
°
C
0.2
0.5
μ
s
t
s
storage time
2
3.5
μ
s
t
f
fall time
0.4
μ
s
1.4
μ
s
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Fig.2
Test circuit for collector-emitter
sustaining voltage.
andbook, halfpage
MGE252
+
50 V
100 to 200
30 to 60 Hz
L
6 V
oscilloscope
vertical
horizontal
1
300
Fig.3
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
(mA)
MGE239
250
200
100
0
min
VCEOsust
VCE (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX85 Silicon diffused power transistors
BUX85 SWITCHMODE SERIES NPN POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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BUX85 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 450V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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