參數(shù)資料
型號： BUX84F
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： PLASTIC, TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BUX84F
1997 Aug 14
10
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUX84F; BUX85F
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX85 Silicon diffused power transistors
BUX85 SWITCHMODE SERIES NPN POWER TRANSISTORS
BUX85 POWER TRANSISTORS(2A,400-450V,40W)
BUX86P Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
BUX87P Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUX84S 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN high voltage Power transistor
BUX84-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800V 2A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX85 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 450V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX85,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUX85/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX85 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB
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