參數(shù)資料
型號： BUX84F
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： PLASTIC, TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BUX84F
1997 Aug 14
3
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUX84F; BUX85F
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Mounted
without
heatsink compound and 30
±
5 N force on centre of package.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CESM
collector-emitter peak voltage
BUX84F
BUX85F
collector-emitter voltage
BUX84F
BUX85F
collector current (DC)
collector current (peak value)
base current (DC)
base current (peak value)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
V
BE
= 0
800
1000
V
V
V
CEO
open base
65
400
450
2
3
0.75
1
18
+150
150
V
V
A
A
A
A
W
°
C
°
C
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
h
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CEOsust
collector-emitter sustaining voltage I
C
= 100 mA; I
Boff
= 0;
BUX84
BUX85
collector-emitter saturation voltage
L = 25 mH; see Figs 2 and 3
400
450
0.8
V
V
V
V
CEsat
I
C
= 0.3 A; I
B
= 30 mA;
see Fig.4
I
C
= 1 A; I
B
= 200 mA;
see Fig.4
I
C
= 1 A; I
B
= 200 mA;
see Fig.5
V
CE
= V
CESmax
; V
BE
= 0
V
CE
= V
CESmax
; V
BE
= 0;
T
j
= 125
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 5 V; I
C
= 5 A; see Fig.6
V
CE
= 5 V; I
C
= 100 mA;
see Fig.6
V
CE
= 10 V; I
C
= 200 mA;
f = 1 MHz
1
V
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
1.1
V
I
CES
collector-emitter cut-off current
0.2
1.5
mA
mA
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
15
20
50
1
100
mA
f
T
transition frequency
20
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX85 Silicon diffused power transistors
BUX85 SWITCHMODE SERIES NPN POWER TRANSISTORS
BUX85 POWER TRANSISTORS(2A,400-450V,40W)
BUX86P Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
BUX87P Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUX84S 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN high voltage Power transistor
BUX84-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800V 2A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX85 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 450V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX85,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUX85/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUX85 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB
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