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參數(shù)資料
| 型號： | BUW13F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 15 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-199, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | BUW13F |
1997 Aug 13
7
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUW13F; BUW13AF
Fig.5 Transient thermal impedance.
handbook, full pagewidth
MGB866
10
1
10
2
10
3
10
4
10
3
10
2
10
1
tp (s)
1
10
2
10
1
Zth j
mb
(K/W)
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0
δ
= 1
Fig.6
Test circuit for collector-emitter
sustaining voltage.
andbook, halfpage
MGE252
+
50 V
100 to 200
30 to 60 Hz
L
6 V
oscilloscope
vertical
horizontal
1
300
Fig.7
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
(mA)
MGE239
250
200
100
0
min
VCEOsust
VCE (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUW13AW | Silicon diffused power transistors |
| BUW13W | Silicon diffused power transistors |
| BUW14 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BUW19 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30A I(C) |
| BUW86 | 200W mono bridge PWM amplifier with built-in step-up converter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUW13W | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BUW14 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUW19 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30A I(C) |
| BUW22 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
| BUW22A | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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