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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUW13F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 15 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-199, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | BUW13F |
1997 Aug 13
6
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUW13F; BUW13AF
Fig.4 Forward bias SOAR.
T
mb
= 25
°
C.
I - Region of permissible DC operation.
II - Permissible extension for repetitive pulse operation.
(1) P
tot max
and P
tot peak max
lines.
(2) Second breakdown limits (independent of temperature).
handbook, full pagewidth
MGB929
1
10
1
10
2
10
3
10
4
I
VCE (V)
10
10
1
10
2
10
10
4
10
3
IC
(A)
IC max
tp =
20
μ
s
1 ms
2 ms
5 ms
10 ms
20 ms
DC
ICM max
δ
= 0.01
BUW13F
BUW13AF
50
μ
s
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
II
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUW13AW | Silicon diffused power transistors |
| BUW13W | Silicon diffused power transistors |
| BUW14 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BUW19 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30A I(C) |
| BUW86 | 200W mono bridge PWM amplifier with built-in step-up converter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUW13W | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BUW14 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUW19 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30A I(C) |
| BUW22 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
| BUW22A | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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