參數(shù)資料
型號(hào)： BUT11AF
廠商： 永盛國(guó)際集團(tuán)
英文描述： SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
中文描述： 擴(kuò)散硅功率晶體管（一般）的說(shuō)明
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： BUT11AF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AF
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.15. SOT186; The seating plane is electrically isolated from all terminals.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10.2
max
5.7
max
3.2
3.0
0.9
0.5
4.4
max
2.9 max
4.4
4.0
seating
plane
7.9
7.5
17
max
0.55 max
1.3
13.5
min
2.54
5.08
0.9
0.7
1
2
3
M
0.4
top view
3.5 max
not tinned
4.4
August 1997
7
Rev 1.000
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PDF描述
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