參數(shù)資料
型號(hào)： BUT11AF
廠商： 永盛國際集團(tuán)
英文描述： SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
中文描述： 擴(kuò)散硅功率晶體管（一般）的說明
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： BUT11AF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AF
Fig.9. Typical DC current gain.
h
FE
= f(I
C
); parameter V
CE
Fig.10. Forward bias safe operating area. T
hs
≤
25 C
(1)
(2)
I
II
III
P
max and P
peak max lines.
Second breakdown limits.
Region of permissible DC operation.
Extension for repetitive pulse operation.
Extension during turn-on in single
transistor converters provided that
R
≤
100
and t
≤
0.6
μ
s.
Mounted with heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of the
envelope.
NB:
0.01
0.1
1
10
100
IC / A
h
BUT11AX
100
10
1
FE
1V
5V
1
10
100
1000
100
10
1
0.1
0.01
tp =
10 us
100 us
1 ms
10 ms
DC
IC / A
CE
ICM max
IC max
II
I
= 0.01
III
500 ms
(1)
(2)
August 1997
4
Rev 1.000
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