參數(shù)資料
型號(hào)： BUT11AF
廠商： 永盛國(guó)際集團(tuán)
英文描述： SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
中文描述： 擴(kuò)散硅功率晶體管（一般）的說(shuō)明
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： BUT11AF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AF
Fig3. Test circuit resistive load. V
= -6 to +8 V
V
= 250 V; t
= 20
μ
s;
δ
= t
p
/ T = 0.01.
R
B
and R
L
calculated from I
Con
and I
Bon
requirements.
Fig.4. Switching times waveforms with resistive load.
Fig.5. Test circuit inductive load.
V
CC
= 300 V; -V
BE
= 5 V; L
C
= 200 uH; L
B
= 1 uH
Fig.6. Switching times waveforms with inductive load.
Fig.7. Normalised power derating and second
breakdown curves.
Fig.8. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
j max
tp
T
VCC
R
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
IC
IB
ICon
90 %
IBon
-IBoff
t
t
ts
toff
tf
10 %
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
%
Normalised Derating
with heatsink compound
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Ptot
IC
IB
10 %
10 %
90 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
6
5
4
3
2
1
0
0
400
800
1200
IC / A
BUT11AX
VCE / V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
August 1997
3
Rev 1.000
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PDF描述
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