參數(shù)資料
型號： BUT11
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： BUT11
1997 Aug 13
7
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT11; BUT11A
Fig.11 Test circuit resistive load.
V
CC
= 250 V; t
p
= 20
μ
s; V
IM
=
6 to +8 V; t
p
/T = 0.01.
The values of R
B
and R
L
are selected in accordance with I
Con
and
I
Bon
requirements.
handbook, halfpage
MGE244
VCC
D.U.T.
RL
RB
VIM
tp
T
0
Fig.12 Switching time waveforms with
resistive load.
handbook, halfpage
MBB731
t
90%
10%
90%
10%
IC
IB
IB on
IB off
IC on
tr
≤
30 ns
ts
tf
ton
t
Fig.13 Test circuit inductive load.
V
CC
= 300 V; V
EB
= 5 V; L
B
= 1
μ
H.
handbook, halfpage
MBH383
+
IB
VEB
LB
LC
VCC
D.U.T.
Fig.14 Switching time waveforms with
inductive load.
handbook, halfpage
MGE238
tr
90%
10%
IB
IB on
IB off
IC on
90%
10%
IC
t
t
ts
toff
tf
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PDF描述
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BUT12F Silicon diffused power transistors
BUT12AF Silicon diffused power transistors
BUT12AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
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參數(shù)描述
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BUT11A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB
BUT11A/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
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