參數(shù)資料
型號(hào)： BUT11
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： BUT11
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BUT11; BUT11A
Silicon diffused power transistors
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT12AI Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BUT12F Silicon diffused power transistors
BUT12AF Silicon diffused power transistors
BUT12AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
BUT14 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUT11/B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BUT11A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB
BUT11A/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
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