參數(shù)資料
型號： BUT11
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： BUT11
1997 Aug 13
4
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT11; BUT11A
Fig.4 Forward bias SOAR.
T
mb
≤
25
°
C.
I - Region of permissible DC operation.
II - Permissible extension for repetitive pulse operation.
III - Area of permissible operation during turn-on in single transistor converters, provided R
BE
≤
100
and t
p
≤
0.6
μ
s.
IV - Repetitive pulse operation in this region is permissible provided V
BE
≤
0 and t
p
≤
5 ms.
(1) P
tot max
and P
tot peak max
lines.
(2) Second breakdown limits.
handbook, full pagewidth
MGB950
1
10
10
2
10
3
10
4
VCE (V)
10
10
1
10
2
10
2
10
3
IC
(A)
(1)
(2)
I
II
III
IV
IC max
BUT11
BUT11A
1 ms
2 ms
10 ms
DC
200
μ
s
500
μ
s
tp =
20
μ
s
100
μ
s
50
μ
s
δ
= 0.01
ICM max
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參數(shù)描述
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BUT11A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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