參數(shù)資料
型號(hào)： BUT11
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商： BUT11
1997 Aug 13
5
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT11; BUT11A
Fig.5
Test circuit for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
MGE252
+
50 V
100 to 200
30 to 60 Hz
L
6 V
oscilloscope
vertical
horizontal
1
300
Fig.6
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
(mA)
MGE239
250
200
100
0
min
VCEOsust
VCE (V)
Fig.7 Base-emitter and collector-emitter saturation voltages as functions of collector current; typical values.
handbook, full pagewidth
VBEsat
VCEsat
(V)
0
10
2
MGB913
10
1
1
IC (A)
10
0.5
1.5
1.0
(1)
(2)
(3)
(4)
I
C
/I
B
= 5.
(1) V
BE
; T
j
= 25
°
C.
(2) V
BE
; T
j
= 100
°
C.
(3) V
CE
; T
j
= 100
°
C.
(4) V
CE
; T
j
= 25
°
C.
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PDF描述
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BUT11A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220AB
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