參數(shù)資料
型號： BUK9830-30
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 2700uF; Voltage: 160V; Case Size: 35x50 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/10頁
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代理商： BUK9830-30
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9830-30
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
40
UNIT
A
-
-
-
-
-
-
160
1.2
-
-
-
A
V
I
F
= 3.2 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5.9 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5.9 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
0.75
0.85
100
0.4
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
ns
μ
C
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 5.9 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
sp
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
60
UNIT
mJ
December 1997
3
Rev 1.100
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PDF描述
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