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參數(shù)資料
| 型號： | BUK9830-30 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 2700uF; Voltage: 160V; Case Size: 35x50 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | BUK9830-30 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9830-30
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode logic
level field-effect power transistor in a
plastic envelope suitable for surface
mounting.
Using
technology, the device features very
low on-state resistance and has
integral zener diodes giving ESD
protectionup to2kV. Itisintendedfor
use
in
automotive
purpose switching applications.
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
Drain-source voltage
Drain current (DC) T
sp
= 25 C
Drain current (DC) T
amb
= 25 C
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
30
12.8
5.9
8.3
150
30
V
A
A
W
C
m
’
trench
’
P
tot
T
j
R
DS(ON)
and
general
V
GS
= 5 V
PINNING - SOT223
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
4
drain (tab)
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
sp
= 25 C
T
amb
= 25 C
T
sp
= 100 C
T
amb
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
amb
= 25 C
T
sp
= 25 C
T
amb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
30
30
10
12.8
5.9
9
4.1
51
23.6
8.3
1.8
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A
W
W
C
I
D
Drain current (DC)
I
DM
Drain current (pulse peak value)
P
tot
Total power dissipation
T
stg
, T
j
Storage & operating temperature
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-sp
PARAMETER
Thermal resistance junction to
solder point
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
Mounted on any PCB
TYP.
12
MAX.
15
UNIT
K/W
R
th j-amb
Mounted on PCB of Fig.19
-
70
K/W
d
g
s
4
1
2
3
December 1997
1
Rev 1.100
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PDF描述 |
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