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參數(shù)資料
| 型號： | BUK9840-55 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 330uF; Voltage: 160V; Case Size: 20x30 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 5 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | BUK9840-55 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9840-55
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode logic
level field-effect power transistor in a
plastic envelope suitable for surface
mounting. The device features very
low on-state resistance and has
integral zener diodes giving ESD
protection. It is intended for use in
automotive and general purpose
switching applications.
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
P
tot
T
j
R
DS(ON)
Drain-source voltage
Drain current
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
55
10.7
1.8
150
40
V
A
W
C
m
V
GS
= 5 V
PINNING - SOT223
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
4
drain (tab)
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
I
D
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
amb
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
amb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
MAX.
55
55
10
10.7
5
UNIT
V
V
V
A
A
I
D
Drain current (DC)
-
3.1
A
I
DM
P
tot
P
tot
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Total power dissipation
-
-
-
40
8.3
1.8
A
W
W
T
stg
, T
j
Storage & operating temperature
- 55
150
C
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL
V
C
PARAMETER
Electrostatic discharge capacitor
voltage
CONDITIONS
Human body model
(100 pF, 1.5 k
)
MIN.
-
MAX.
2
UNIT
kV
d
g
s
4
1
2
3
January 1998
1
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9880-55 | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 160V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk |
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| BUT11AI | Silicon Diffused Power Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BUK9840-55115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:N CH MOSFET TRENCH AUTOMOTIVE 55V 7A |
| BUK9840-55T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 10.7A I(D) | SOT-223 |
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