參數(shù)資料
型號： BUK98150-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1200uF; Voltage: 160V; Case Size: 30x35 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 2.6 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-73, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： BUK98150-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK98150-55
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 5 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.6
3.8
4
5
10
ID/A
VGS/V =
2
3
4
5
6
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
gfs/S
ID/A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
100
150
200
250
300
350
400RDS(ON)mOhm
ID/A
5
4
3.6
3.4
3.2
3
BUK98XX-55
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
Tmb / degC
Rds(on) normalised to 25degC
a
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
ID/A
VGS/V
Tj/C = 150
25
BUK98xx-55
-100
-50
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
February 1998
4
Rev 1.000
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PDF描述
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BUT11AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
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