參數(shù)資料
型號(hào)： BUK96150-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor standard level FET
中文描述： 13 A, 55 V, 0.161 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： BUK96150-55A
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK95150-55A
BUK96150-55A
Fig.17. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.18. Maximum permissible repetitive avalanche
current(I
AV
) versus avalanche time(t
AV
) for unclamped
inductive loads.
Fig.19. Switching test circuit.
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
1
0.001
10
100
0.01
0.1
1
10
Avalanche Time, t
AV
(ms)
I
AV
T
j
prior to avalanche 150
o
C
25
o
C
February 2000
6
Rev 1.000
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PDF描述
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