參數(shù)資料
型號： BUK456-200
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 功率金屬氧化物半導體晶體管
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 63K
代理商： BUK456-200
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
BUK456-200A/B
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 19 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
10
20
30
40
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V =40
160
BUK456-200
0
1
2
BUK456-200A
VSDS / V
IF / A
40
30
20
10
0
Tj / C = 150
25
April 1993
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK456-200A PowerMOS transistor
BUK456-60A PowerMOS transistor
BUK456-60B Aluminum Electrolytic Capacitor; Voltage Rating:25VDC; Capacitance:1uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; Series:94SL; Termination:Radial Leaded; Working Voltage, DC:25V; Size:.157 x .268 RoHS Compliant: Yes
BUK456-60H PowerMOS transistor
BUK463-100A PowerMOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUK456-200B 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
BUK456-200B/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL
BUK456-50A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK456-50B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
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