參數(shù)資料
型號(hào)： BUK223-50Y
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor TOPFET high side switch
中文描述： 55 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PZFM5
封裝： PLASTIC, SOT-263B-01, TO-220, 5 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： BUK223-50Y
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET high side switch
BUK223-50Y
DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
Monolithic single channel high side
protected power switch in
TOPFET2
technology assembled in
a 5 pin plastic package.
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
UNIT
I
L
Nominal load current (ISO)
12
A
APPLICATIONS
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
General controller for driving
lamps, motors, solenoids, heaters.
V
BG
I
L
T
j
R
ON
Continuous off-state supply voltage
Continuous load current
Continuous junction temperature
On-state resistance
50
25
150
30
V
A
C
m
T
j
= 25C
FEATURES
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
Vertical power TrenchMOS
Low on-state resistance
CMOS logic compatible
Very low quiescent current
Overtemperature protection
Load current limiting
Latched overload and
short circuit protection
Overvoltage and undervoltage
shutdown with hysteresis
On-state open circuit load
detection
Diagnostic status indication
Voltage clamping for turn off
of inductive loads
ESD protection on all pins
Reverse battery, overvoltage
and transient protection
Fig.1. Elements of the TOPFET HSS with internal ground resistor.
PINNING - SOT263B-01
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
I
nput
2
F
lag
3
D
rain
4
P
rotection supply
5
S
ource
Fig. 2.
Fig. 3.
tab
D
rain
BATT
LOAD
INPUT
GROUND
STATUS
POWER
MOSFET
RG
CONTROL &
PROTECTION
CIRCUITS
1 2 3 4 5
MBL267
Front view
mb
mb
D
S
I
TOPFET
P
F
P
November 2002
1
Rev 2.000
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PDF描述
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