參數(shù)資料
型號： BUK109-50GS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
中文描述： 29 A, 50 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： BUK109-50GS
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET
BUK109-50GS
Fig.30. Normalised input current (protection latched).
I
ISL
/I
ISL
25 C = f(T
j
); V
IS
= 10 V
Fig.31. Maximum drain source supply voltage for
SC load protection. V
DDP(P)
= f(V
IS
); T
mb
≤
150 C
-60
-20
20
60
Tj / C
100
140
180
Iisl normalised to 25 C
1.5
1
0.5
0
2
4
6
8
10
VIS / V
VDDP(P) / V
BUK109-50GS
50
40
30
20
10
0
max
June 1996
10
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
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BUK114-50S Logic level TOPFET SMD version of BUK104-50L/S
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參數(shù)描述
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BUK110-50GS 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor TOPFET
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