參數(shù)資料
型號: BUK108-50DL
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 外設(shè)及接口
英文描述: PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET)
中文描述: BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, SSO3
封裝: SSO-3
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大小: 89K
代理商: BUK108-50DL
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK108-50DL
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 1.4 g
Fig.22. SOT404 : centre pin connected to mounting base.
Notes
1. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.23. SOT404 : minimum pad sizes for surface mounting
Notes
1. Plastic meets UL94 V0 at 1/8".
11 max
4.5 max
1.4 max
10.3 max
0.5
15.4
2.5
0.85 max
(x2)
2.54 (x2)
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
June 1996
9
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK108-50GL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
BUK108-50GS PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
BUK109-50DL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK108-50DL /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK108-50DL,118 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK108-50GL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK108-50GS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK109-50DL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET