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參數(shù)資料
| 型號： | BUK108-50DL |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 外設(shè)及接口 |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| 中文描述： | BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, SSO3 |
| 封裝： | SSO-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | BUK108-50DL |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK108-50DL
Fig.8. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)
25 C = f(T
j
); I
D
= 7.5 A; V
IS
= 5 V
Fig.9. Typical overload protection characteristics.
t
d sc
= f(P
DS
); conditions: V
IS
≥
4 V; T
j
= 25 C.
Fig.10. Normalised limiting overload dissipation.
P
DSM
% =100
P
DSM
/P
DSM
(25 C) = f(T
mb
)
Fig.11. Typical overload protection characteristics.
Conditions: V
DD
= 13 V; V
IS
= 5 V; SC load = 30 m
Fig.12. Typical clamping characteristics, 25 C.
I
D
= f(V
DS
); conditions: V
IS
= 0 V; t
p
≤
50
μ
s
Fig.13. Input threshold voltage.
V
IS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= 5 V
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100 120 140
a
Normalised RDS(ON) = f(Tj)
1.5
1.0
0.5
0
-60
-20
20
60
100
140
180
220
Tmb / C
Energy & Time
BUK108-50DL
1
0.5
0
Energy / J
Time / ms
Tj(TO)
0.01
1
PDS / kW
td sc / ms
BUK108-50DL
100
10
1
0.1
0.1
PDSM
50
60
70
BUK108-50DL
VDS / V
ID / A
20
15
10
5
0
typ.
-60
-40
-20
0
20
40
Tmb / C
60
80
100
120
140
PDSM%
120
100
80
60
40
20
0
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100
120
140
VIS(TO) / V
2
1
0
max.
typ.
min.
June 1996
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK108-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK108-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| BUK109-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK108-50DL /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK108-50DL,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK108-50GL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK108-50GS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK109-50DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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