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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK108-50DL |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 外設(shè)及接口 |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| 中文描述： | BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, SSO3 |
| 封裝： | SSO-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | BUK108-50DL |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK108-50DL
Fig.2. Normalised limiting power dissipation.
P
D
% = 100
P
D
/P
D
(25 C) = f(T
mb
)
Fig.3. Normalised continuous drain current.
I
D
% = 100
I
D
/I
D
(25 C) = f(T
mb
); conditions: V
IS
= 5 V
Fig.4. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.5. Transient thermal impedance.
Z
th
j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.6. Typical on-state characteristics, T
= 25 C.
ID = f(V
DS
); parameter V
IS
; t
p
= 2 ms
Fig.7. Typical on-state resistance, T
= 25 C.
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
IS
; t
p
= 2 ms
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
D =
BUK108-50DL
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
VDS / V
ID / A
BUK108-50DL
30
20
10
0
VIS / V =
4.5
5
5.5
6
4
3.5
3
1
100
VDS / V
100
10
1
0.1
BUK108-50DL
10
ID & IDM / A
Overload protection characteristics not shown
DC
RDS(ON)=VDSID
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
0
20
ID / A
RDS(ON) / Ohm
BUK108-50DL
0.20
0.15
0.10
0.05
0
10
30
VIS / V =
5.5
6
5
4.5
4
3.5
June 1996
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK108-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK108-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| BUK109-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK108-50DL /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK108-50DL,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK108-50GL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK108-50GS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK109-50DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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