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參數(shù)資料
| 型號： | BUK106-50SP |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 外設及接口 |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| 中文描述： | 160 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PZFM5 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-263-01, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/14頁 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | BUK106-50SP |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK106-50L/S
BUK106-50LP/SP
Fig.10. Typical on-state resistance, T
= 25 C.
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
IS
; t
p
= 250
μ
s
Fig.11. Typical transfer characteristics, T
= 25 C.
I
D
= f(V
IS
) ; conditions: V
DS
= 12 V; t
p
= 250
μ
s
Fig.12. Typical transconductance, T
= 25 C.
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 12 V; t
p
= 250
μ
s
Fig.13. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)
25 C = f(T
j
); I
D
= 25 A; V
IS
≥
5 V
Fig.14. Typical over temperature protection threshold
T
j(TO)
= f(V
PS
); conditions: V
DS
> 0.1 V
Fig.15. Normalised limiting overload dissipation.
P
DSM
% =100
P
DSM
/P
DSM
(25 C) = f(T
mb
)
0
20
40
ID / A
RDS(ON) / mOhm
BUK106-50L/S
50
40
30
20
10
0
10
30
50
4
5
10
6
7
3
VIS / V =
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100 120 140
a
Normalised RDS(ON) = f(Tj)
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
VIS / V
ID / A
BUK106-50L/S
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
VPS / V
Tj(TO) / C
BUK106-50L/S
230
220
210
200
190
180
170
160
150
BUK106-50S
BUK106-50L
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ID / A
gfs / S
BUK106-50L/S
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-60
-40
-20
0
20
40
Tmb / C
60
80
100
120
140
PDSM%
120
100
80
60
40
20
0
February 1993
8
Rev 1.200
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK107-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| BUK107-50DS | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPEFT) |
| BUK108-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| BUK108-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應管邏輯電平TOPFET) |
| BUK108-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK107-50DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK107-50DL T/R | 功能描述:MOSFET TAPE-7 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK107-50DL,115 | 功能描述:MOSFET TAPE-7 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK107-50DLT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223 |
| BUK107-50DS | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
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