參數(shù)資料
型號： BUK100-50GS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET)
中文描述： 40 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSFM3
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 112K
代理商： BUK100-50GS
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET
BUK100-50GS
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.32. TO220AB; pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Refer to mounting instructions for TO220 envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
November 1996
10
Rev 1.300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK101-50DL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET)
BUK101-50GL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET)
BUK101-50GS PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
BUK101-50 PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK105-50L N-Channel Enhancement MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK101-50 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK101-50DL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK101-50GL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK101-50GL,127 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK101-50GL/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR TO 220 TOPFET 5POLIG
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*