參數(shù)資料
型號(hào)： BUK100-50DL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET)
中文描述： 13.5 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 84K
代理商： BUK100-50DL
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK100-50DL
Fig.18. Normalised limiting clamping energy.
E
DSM
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 15 A; V
IS
= 5 V
Fig.19. Clamping energy test circuit, R
IS
= 50
.
E
DSM
=
0.5
LI
D
Fig.20. Typical off-state leakage current.
I
DSS
= f(T
j
); Conditions: V
DS
= 40 V; I
IS
= 0 V.
Fig.21. Normalised input currents (normal & latched).
I
ISO
/I
ISO
25C & I
ISL
/I
ISL
25C = f(T
j
); V
IS
= 5 V
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
EDSM%
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
Tj / C
Idss
1 mA
100 uA
10 uA
1 uA
100 nA
typ.
-60
-20
20
60
Tj / C
100
140
180
Iiso & Iisl normalised to 25 C
1.5
1
0.5
L
D.U.T.
VDD
RIS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VIS
0
P
D
S
I
TOPFET
ID
0
VDS
0
VDD
V(CL)DSS
Schottky
2
V
(
CL
)
DSS
/(
V
(
CL
)
DSS
V
DD
)
November 1996
8
Rev 1.200
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PDF描述
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